IMDQ75B022M2H
新規
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

IMDQ75B022M2H

新規
CoolSiC™ MOSFET双方向スイッチ (BDS) 750 V
データシート
パッケージ

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IMDQ75B022M2H
IMDQ75B022M2H
データシート


製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    105 A
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C) (最大)
    27.5 mΩ
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    22 mΩ
  • VDS (最大)
    750 V
  • パッケージ
    Q-DPAK
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 技術
    CoolSiC™ BDS G2
  • 極性
    N
  • 認定
    Industrial

推奨
OPN
IMDQ75B022M2HXTMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-HDSOP-22
パッケージ名 Q-DPAK BDS TSC CD
梱包サイズ 750
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
MY
ウェハ製造国
AT
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-HDSOP-22
パッケージ名 Q-DPAK BDS TSC CD
梱包サイズ 750
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
MY
ウェハ製造国
AT
堅牢なCoolSiC™ G2テクノロジーをベースに、IMDQ75B022M2Hは上面放熱のQ-DPAKパッケージ内に、デュアルダイの共通ドレイン アーキテクチャで2つのSiCパワー スイッチを統合しています。これにより、システム設計を簡素化し、次世代トポロジーを実現します。最新の電力グリッドおよびエネルギー システム向けに設計されており、高い信頼性と効率、ならびに低ライフタイムTCO (総所有コスト) を実現します。

特長

  • 2つのダイを背中合わせに配置
  • 過負荷耐量: 200 ℃で100時間
  • ネイティブ液冷に対応
  • 短絡耐量: 2 μs
  • 100%アバランシェ耐量出荷テスト対応
  • 最大840 Vbr
  • パッケージ高: 2.3 mm

利点

  • 長寿命化
  • システムTCOを最小化
  • Q-DPAKの単体デバイス2個を置き換え
  • TO247‑4比で寄生インダクタンスを66% 低減
  • 優れたコンパクト セル設計
  • 両面実装によるPCB利用効率の向上
  • 伝導冷却と液冷に対応
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ