Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

IMBG65R075M2H

CoolSiC™ MOSFET 650 V G2 in TO-263-7 package, 75 mΩ
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IMBG65R075M2H
IMBG65R075M2H
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    28 A
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    75 mΩ
  • RthJC max
    1.2 K/W
  • VDS max
    650 V
  • パッケージ
    D2PAK 7-pin
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    THT
  • 技術
    CoolSiC™ G2
  • 極性
    N
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
IMBG65R075M2HXTMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-7
パッケージ名 D2PAK 7-pin
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-7
パッケージ名 D2PAK 7-pin
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The CoolSiC™ MOSFET 650 V G2 is the trending option to leverage a very performing technology, like the CoolSiC™ G2. It overcomes the limits in thermal cycles of the conventional packages and it boats the .XT interconnect to reduce the thermal resistance. It is hence possible to fully use the characteristics of SiC, but maintaining a small footprint with a product which is the next logical step in power density.

機能

  • Excellent figures of merit (FOMs)
  • Best in class RDS(on)
  • Outstanding robustness
  • Flexible driving voltage range
  • Improved package interconnect with .XT
  • Tj,max=175°C
  • Kelvin pin

利点

  • Enables BOM savings
  • Maximizes the system performance per $
  • Highest reliability and longer lifetime
  • Enables top efficiency and power density
  • Small footprint to more power density
  • Most compact daughter card design
  • Fully leverages SiC in a small footprint

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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