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RoHS準拠
鉛フリー

IMBG65R007M2H

OptiMOS™ 6 dual N-channel 40 V MOSFETs in a scalable power block package
データシート
パッケージ
ボード
EA.
在庫あり

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IMBG65R007M2H
IMBG65R007M2H
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    238 A
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    6.7 mΩ
  • RthJC max
    0.19 K/W
  • VDS max
    650 V
  • Package
    D2PAK 7-pin
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Technology
    CoolSiC™ G2
  • Polarity
    N
  • Qualification
    Industrial
推奨
OPN
IMBG65R007M2HXTMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-7
パッケージ名 D2PAK 7-pin
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-7
パッケージ名 D2PAK 7-pin
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The CoolSiC™ MOSFET 650 V, 7 mΩ G2 in a D2PAK-7 (TO-263-7) package builds on the strengths of Generation 1 technology and enables the accelerated system design of more cost optimized, efficient, compact, and reliable solutions. Generation 2 comes with significant improvements in key figures-of-merit for both, hard-switching operation and soft-switching topologies, suitable for all common combinations of AC-DC, DC-DC, and DC-AC stages.

機能

  • Excellent figures of merit (FOMs)
  • Single digit RDS(on) in a D2PAK-7 SMD
  • High robustness and overall quality
  • Flexible driving voltage range
  • Support for unipolar driving (VGSoff=0)
  • Best immunity against turn-on effects
  • Improved package interconnect with .XT

利点

  • Enables BOM savings
  • Maximizes the system performance per $
  • Highest reliability
  • Enables top efficiency and power density
  • Ease-of-use
  • Full compatibility with existing vendors
  • Allows designs without fan or heatsink

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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