Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

IMBG120R008M2H

CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IMBG120R008M2H
IMBG120R008M2H
EA.
データシート

Product details

  • Ciss
    6380 pF
  • Coss
    279 pF
  • ID (@ TC=25°C) max
    189 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    800 W
  • Qgd
    53 nC
  • QG
    195 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    7.7 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    0.19 K/W
  • Tj max
    200 °C
  • VDS max
    1200 V
  • パッケージ
    TO-263-7
  • ピン数
    7 Pins
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    SMD
  • 技術
    CoolSiC™ G2
  • 極性
    N
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
IMBG120R008M2HXTMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-7
パッケージ名 D2PAK 7-pin
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-7
パッケージ名 D2PAK 7-pin
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The CoolSiC™ MOSFET 1200 V, 8 mΩ G2 in a D2PAK-7L (TO-263-7) package builds on the strengths of Generation 1 technology and enables the accelerated system design of more cost optimized, efficient, compact, and reliable solutions. Generation 2 comes with significant improvements in key figures-of-merit for both, hard-switching operation and soft-switching topologies, suitable for all common combinations of AC-DC, DC-DC, and DC-AC stages.

機能

  • RDS(on) = 7.7 mΩ at VGS = 18 V, Tvj = 25°C
  • Very low switching losses
  • Overload operation up to Tvj = 200°C
  • Short circuit withstand time 2 µs
  • Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.2 V
  • Robust against parasitic turn on, 0 V turn-off gate voltage can be applied
  • Robust body diode for hard commutation
  • .XT interconnection technology for best-in-class thermal performance

利点

  • Better energy efficiency
  • Cooling optimization
  • Higher power density
  • New robustness features
  • Highly reliable

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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