Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

IKW75N65EL5

データシート
パッケージ

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IKW75N65EL5
IKW75N65EL5
データシート

製品仕様情報

  • Eoff (Hard Switching)
    3.2 mJ
  • Eon
    1.61 mJ
  • IC (@ 100°) max
    80 A
  • IC (@ 25° ) max
    80 A
  • ICpuls max
    300 A
  • IF max
    90 A
  • IFpuls max
    300 A
  • Irrm
    29 A
  • Ptot max
    536 W
  • QGate
    436 nC
  • Qrr
    1370 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    4 Ω
  • td(off)
    275 ns
  • td(on)
    40 ns
  • tf
    50 ns
  • tr
    11 ns
  • VCE(sat)
    1.1 V
  • VCE max
    650 V
  • VF
    1.4 V
  • スイッチング周波数
    0.05 kHz to 20 kHz
  • パッケージ
    TO-247-3
  • 技術
    IGBT TRENCHSTOP™ 5
推奨
OPN
IKW75N65EL5XKSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon’s new L5 low saturation voltage (V CE(sat)) TRENCHSTOP™ IGBT family has been specifically optimized for low switching frequencies ranging from 50Hz to 20kHz. Optimization of the carrier profile of the innovative 55µm TRENCHSTOP™ 5 thin wafer technology allows to reduce conduction losses to the intrinsically low level – 1.05V for 30A IGBT and 1.10V for 75A IGBT.

機能

  • Lowest VCE(sat) of only 1.05 V
  • Low switching losses:
  • 1.6 mJ @ 25°C for 30 A IGBT
  • High thermal stability
  • Tjincrease from 25°C to 175°C

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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