新規設計は非推奨
RoHS準拠
鉛フリー

IKW50N60DTP

600 V, 50 A IGBT discrete with anti-parallel diode in TO-247 package
データシート
パッケージ
EA.
個の在庫あり

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IKW50N60DTP
IKW50N60DTP
EA.
データシート

製品仕様情報

  • Eoff (Hard Switching)
    1.39 mJ
  • Eon
    2.25 mJ
  • IC (@ 25°) (最大)
    80 A
  • IC (@ 100°) (最大)
    61 A
  • ICpuls (最大)
    150 A
  • IF (最大)
    62 A
  • IFpuls (最大)
    150 A
  • Irrm
    18.8 A
  • Ptot (最大)
    319.2 W
  • QGate
    249 nC
  • Qrr
    2150 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    7 Ω
  • td(off)
    277 ns
  • td(on)
    21 ns
  • tf
    55 ns
  • tr
    34 ns
  • tSC
    5 µs
  • VCE(sat)
    1.6 V
  • VCE (最大)
    600 V
  • VF
    1.45 V
  • VGE(th) (範囲)
    4.1 V ～ 5.7 V
  • スイッチング周波数
    TRENCHSTOP™Performance 2-30 kHz
  • スイッチング周波数 (範囲)
    2 kHz ～ 30 kHz
  • パッケージ
    TO-247-3
  • 技術
    IGBT TRENCHSTOP™ Perf.
OPN
IKW50N60DTPXKSA1
製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
Hard-switching 600 V, 50 A IGBT TRENCHSTOP™ Performance in TO-247 package for switching speed up to 30kHz, 5µsec short circuit and low EMI.

特長

  • Lower total switching losses (Ets)
  • 7% lower Etsfor 8 kHz
  • 11% lower Etsfor 15 kHz
  • Low speed dV/dt switch. (<5V/ns)
  • Low EMI
  • Improved cell design
  • High reliability

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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