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RoHS準拠
鉛フリー

IKW25N120H3

1200 V IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
データシート
パッケージ
ボード
EA.
在庫あり

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IKW25N120H3
IKW25N120H3
EA.
データシート

Product details

  • Eoff (Hard Switching)
    0.85 mJ
  • Eon
    1.8 mJ
  • IC (@ 25° ) max
    50 A
  • IC (@ 100°) max
    25 A
  • ICpuls max
    100 A
  • IF max
    25 A
  • IFpuls max
    100 A
  • Irrm
    10.4 A
  • Ptot max
    326 W
  • QGate
    115 nC
  • Qrr
    1200 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    23 Ω
  • td(off)
    277 ns
  • td(on)
    26 ns
  • tf
    17 ns
  • tr
    35 ns
  • tSC
    10 µs
  • VCE(sat)
    2.05 V
  • VCE max
    1200 V
  • VF
    2.4 V
  • スイッチング周波数
    20 kHz to 100 kHz
  • パッケージ
    TO-247-3
  • 技術
    IGBT HighSpeed 3
推奨
OPN
IKW25N120H3FKSA1
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
High speed 1200 V , 25 A hard-switching TRENCHSTOP™ IGBT4 co-packed with free-wheeling diode in a TO-247 package provides the best compromise between switching and conduction losses. The key feature of this family is a MOSFET-like turn-off switching behavior, leading to low turn off losses.

機能

  • To replace 70 kHz switching MOSFETs
  • Low switching losses
  • Excellent VCEsatbehavior
  • Fast switching behavior
  • Low EMI emissions
  • Optimized diode for:
  • Improvement in switching losses
  • Low gate resistor select. possible
  • Excellent switch.behavior (@>5 Ω)
  • Short circuit capability
  • Offering Tj(max)of 175°C
  • Packaged with & without free. diode

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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