IKB20N65EH5
Active and preferred
RoHS対応

IKB20N65EH5

650 V, 20 A IGBT with anti-parallel diode in TO263 package
データシート
パッケージ
ボード
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在庫あり

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IKB20N65EH5
IKB20N65EH5
個.
データシート

製品仕様情報

  • Eoff (Hard Switching)
    0.13 mJ
  • Eon
    0.56 mJ
  • IC (@ 100°) (最大)
    25 A
  • IC (@ 25°) (最大)
    38 A
  • ICpuls (最大)
    80 A
  • IF (最大)
    27 A
  • IFpuls (最大)
    60 A
  • Irrm
    8.5 A
  • Ptot (最大)
    125 W
  • QGate
    48 nC
  • Qrr
    360 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    32 Ω
  • td(off)
    160 ns
  • td(on)
    19 ns
  • tf
    23 ns
  • tr
    21 ns
  • VCE(sat)
    1.65 V
  • VCE (最大)
    650 V
  • VF
    1.45 V
  • スイッチング周波数
    TRENCHSTOP™5 30-100 kHz
  • スイッチング周波数 範囲
    30 kHz～100 kHz
  • パッケージ
    PG-TO263-3
  • 技術
    IGBT TRENCHSTOP™ 5
推奨
OPN
IKB20N65EH5ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
Hard-switching 650 V, 20 A TRENCHSTOP™ 5 high speed IGBT in D2Pak (TO263) package copacked with full rated current Rapid 1 anti-parallel diode, redefines “Best-in-class” IGBT by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. This family is a major breakthrough in IGBT innovation to match the market’s high efficiency demands of tomorrow.

特長

  • 650 V breakthrough voltage
  • Compared to HighSpeed 3 family
  • Factor 2.5 lower Qg
  • Factor 2 reduced switching losses
  • 200 mV reduction in VCE(sat)
  • Co-packed with Rapid Si-diode
  • Low COES/EOSS
  • Mild pos. temp. coeffi. VCE(sat)
  • Temperature stability of Vf
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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