Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

IHW30N110R5

1100 V, 30 A IGBT with monolithically integrated diode in TO-247 package
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IHW30N110R5
IHW30N110R5
EA.
データシート

Product details

  • Eoff (Soft Switching)
    0.14 mJ
  • IC (@ 100°) max
    30 A
  • IC (@ 25°) max
    60 A
  • ICpuls max
    90 A
  • IF max
    30 A
  • IFpuls max
    90 A
  • Ptot max
    330 W
  • QGate
    240 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    10 Ω
  • td(off)
    350 ns
  • tf
    30 ns
  • VCE(sat)
    1.55 V
  • VCE max
    1100 V
  • VF
    1.8 V
  • VGE(th)
    5.8 V
  • スイッチング周波数
    RC Soft Switching Series 8-60 kHz
  • パッケージ
    TO-247-3
  • 技術
    IGBT RC Soft Switching
推奨
OPN
IHW30N110R5XKSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
Reverse Conducting R5 1100 V, 30 A IGBT in TO-247 package with monolithically integrated diode is designed to fulfill demanding requirements of induction heating applications using single-ended resonant topology. Thanks to best product performances and high compatibility with existing gate driver solution, 1100 V 30 A IGBT represents the optimal choice for soft switching topologies.

機能

  • Powerful monolithic body diode
  • Very tight parameter distribution
  • High ruggedness
  • Temperature stable behavior
  • Very Low VCEsat
  • Positive temp. coeffi. in VCEsat
  • Easy parallel switching capability
  • Low EMI
  • Vg = 25 V
  • Maximum operating TJ of 175 °C
  • Pb free lead plating
  • RoHS compliant

利点

  • Lowest power dissipation
  • Better thermal management
  • Optimized for fsw up to 60 kHz
  • Resists capacitive peaks reliably
  • Lower EMI filtering requirements

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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