IGZ75N65H5

データシート

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IGZ75N65H5
IGZ75N65H5
データシート

製品仕様情報

  • Eoff (Hard Switching)
    0.43 mJ
  • Eon
    0.68 mJ
  • IC (@ 100°) (最大)
    75 A
  • IC (@ 25°) (最大)
    119 A
  • ICpuls (最大)
    300 A
  • Ptot (最大)
    395 W
  • QGate
    166 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    10 Ω
  • td(off)
    347 ns
  • td(on)
    26 ns
  • tf
    15 ns
  • tr
    11 ns
  • VCE(sat)
    1.65 V
  • VCE (最大)
    650 V
  • VGE(th) (範囲)
    3.2 V ～ 4.8 V
  • VGE(th)
    4 V
  • スイッチング周波数
    TRENCHSTOP™5 30-100 kHz
  • スイッチング周波数 (範囲)
    30 kHz ～ 100 kHz
  • パッケージ
    TO-247-4
  • 技術
    IGBT TRENCHSTOP™ 5
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
To further enhance the best-in-class performance of the TRENCHSTOP™ 5 IGBT technology, Infineon offers the technology in a high power package with an extra Kelvin emitter pin. The TO-247 4pin provides ultra-low inductance to the gate-emitter control loop and brings TRENCHSTOP™ 5 IGBT to the next level of best in class switching performance. The standard TO-247 package body has been taken and an extra, 4th pin, has been added to enable the Kelvin emitter configuration.

特長

  • Extremely low cont. inductance loop
  • Emitter pin for driver feedback
  • Same coll. emitter creep. dist.*
  • 20% reduced total switching losses*
  • *compared to TO-247 package

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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