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RoHS準拠

IGT65R025D2

CoolGaN™ Transistor 650 V G5
データシート
パッケージ
ボード

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IGT65R025D2
IGT65R025D2
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • ID (@25°C) max
    70 A
  • IDpuls (@25°C) max
    120 A
  • QG
    11 nC
  • RDS (on) max
    30 mΩ
  • RDS (on) (typ)
    25 mΩ
  • VDS max
    650 V
  • パッケージ
    TOLL
  • ファミリー
    CoolGaN™ Transistor 650 V G5
  • 環境規制対応
    RoHS compliant, Halogen free
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
IGT65R025D2ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 N/A
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 -
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The IGOT65R025D2 GaN power transistor allows for increased efficiency at high-frequency operation. As part of the CoolGaN™ 650 V G5 family, it meets the highest quality standards, enabling highly reliable designs with superior efficiency. Housed in a bottom-side cooled TOLL package, it is designed for optimal power dissipation in various industrial applications.

機能

  • 650 V e-mode power transistor
  • Ultrafast switching
  • No reverse-recovery charge
  • Capable of reverse conduction
  • Low gate charge, low output charge
  • Superior commutation ruggedness
  • Low dynamic RDS(on)
  • High ESD robustness: 2 kV HBM - 1 kV CDM
  • Bottom-side cooled package
  • JEDEC qualified (JESD47, JESD22)

利点

  • Supports high operating frequency
  • Enables highest system efficiency
  • Enables ultrahigh power density designs
  • Supports BOM cost savings

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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