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生産終了
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RoHS準拠

IGI60F2727A1L

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CoolGaN™ Integrated Power Stage (IPS) half-bridge 600 V to deliver high density, high efficiency solution
データシート
パッケージ

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IGI60F2727A1L
IGI60F2727A1L
データシート

Product details

  • ID (@ TA=25°C) max
    4.9 A
  • IDpuls (@25°C) max
    12.2 A
  • QG
    1.2 nC
  • RDS (on) (typ)
    270 mΩ
  • VDS max
    600 V
  • 環境規制対応
    RoHS compliant, Halogen free
OPN
IGI60F2727A1LAUMA1
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-TIQFN-28
パッケージ名 N/A
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-TIQFN-28
パッケージ名 -
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
IGI60F2727A1L combines a half-bridge power stage consisting of two 270 mΩ (typ. RDS(on)) / 600 V enhancement mode CoolGaN™ HEMT with dedicated gate drivers in a small 8 x 8 mm QFN-28 package. It is thus ideally suited to support the design of high density AC-DC charger and adapters utilizing the superior switching behavior of CoolGaN™ power switches. Infineon’s CoolGaN™ and related power switches provide a very robust gate structure. When driven by a continuous gate current of a few mA in the “on” state, a minimum on-resistance RDS(on) is always guaranteed, independent of temperature and parameter variations. The driver utilizes on-chip coreless transformer technology (CT) to achieve signal level-shifting to the high-side. Further, CT guarantees robustness even for extremely fast switching transients above 300 V/ns.

機能

  • Isolated digital input with digital-in, power-out building block
  • Application configurable switching behavior
  • Fast, highly accurate, and stable timing
  • Thermally enhanced 8x8mm QFN-28

利点

  • Easy to drive with 2x digital PWM input
  • Low system BOM
  • Complete configurability of gate path via simple RC interface
  • Allows short dead-time setting to maximize system efficiency 
  • Small package for compact system designs

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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