IGC41T120T8Q
アクティブ
RoHS対応
鉛フリー

IGC41T120T8Q

データシート

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IGC41T120T8Q
IGC41T120T8Q
データシート

製品仕様情報

  • IC (最大)
    40 A
  • VCE(sat) (最大)
    2.42 V
  • VCE (最大)
    1200 V
  • VDS (最大)
    1200 V
  • VGE(th) 範囲
    5.3 V～6.3 V
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～175 °C
  • 技術
    IGBT HighSpeed 3
推奨
OPN
IGC41T120T8QX1SA2 IGC41T120T8QX7SA2
製品ステータス active active
インフィニオン パッケージ -- -
パッケージ名 N/A N/A
梱包サイズ 1 1
梱包形態 WAFER SAWN HORIZONTAL FRAME SHIPPER
MSL (湿度感受性レベル) N/A N/A
防湿梱包 DRY DRY
鉛フリー Yes Yes
ハロゲンフリー Yes Yes
RoHS対応 Yes Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ --
パッケージ名 -
梱包サイズ 1
梱包形態 WAFER SAWN
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ -
パッケージ名 -
梱包サイズ 1
梱包形態 HORIZONTAL FRAME SHIPPER
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon’s HighSpeed 3 family provides the best compromise between switching and conduction losses for frequencies between 25kHz and 70kHz. The key feature of this family is a MOSFET-like turn-off switching behavior, leading to low turn-off losses.

特長

  • Positive temperature coefficient
  • Easy paralleling

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ