新規
Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

IGC165T75H12DCKYA

新規
インフィニオンの最先端Si IGBT技術のパワーを解き放つ
データシート

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IGC165T75H12DCKYA
IGC165T75H12DCKYA
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2036
  • ICn
    520 A
  • VCE
    750 V
  • 技術
    EDT3
推奨
OPN
IGC165T75H12DCKYAX7SA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ --
パッケージ名 N/A
包装サイズ 1
包装形態 HORIZONTAL FRAME SHIPPER
水分レベル NA
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ --
パッケージ名 -
包装サイズ 1
包装形態 HORIZONTAL FRAME SHIPPER
水分レベル NA
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
当社の最新のEDT3デバイスは、750 Vおよび1200 Vの電圧クラスに対応し、低コストで高性能な車両のメインインバーター アプリケーション向けに前例のない出力電流を実現します。特定のアプリケーション要件に合わせたカスタム電源モジュールを設計および製造できる当社の Si IGBT およびダイオード ソリューションは、自動車環境を変革し、パフォーマンス、効率、信頼性を新たな高みに引き上げます。

特長

  • クラス最高レベルの電流密度
  • 470 V VDCシステムに適合
  • 最大接合部温度185 ℃
  • 高速スイッチング
  • 非常に低いVCEsat
  • 非常に低いスイッチング損失
  • 短いテール電流
  • ばらつきが非常に小さいパラメーター分布
  • 短絡耐量 tsc = 3 µs
  • 両面はんだ付けおよび焼結が可能
  • AEC-Q101に準拠した製品

利点

  • 車載要件に最適
  • 750 Vおよび1200 Vクラスで提供
  • カスタマイズ開発 (要望に応じて)
  • 出力電流密度を最大25%向上
  • 損失の低減と最大Tvjの向上
  • モジュール小型化によるコストメリット
  • システムレベルでアンペアあたりのコストを低減
  • 並列化の労力とコストを削減
  • 高い信頼性と品質
  • ドロップイン置換
  • シンプルなゲート駆動設計

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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