IGC15T65QE
アクティブ
RoHS対応
鉛フリー

IGC15T65QE

データシート

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IGC15T65QE
IGC15T65QE
データシート

製品仕様情報

  • IC (最大)
    30 A
  • VCE(sat) (最大)
    2.32 V
  • VCE (最大)
    650 V
  • VDS (最大)
    650 V
  • VGE(th) 範囲
    4.2 V～5.6 V
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～175 °C
  • 技術
    IGBT HighSpeed 3
推奨
OPN
IGC15T65QEX1SA1
製品ステータス active
インフィニオン パッケージ --
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 1
梱包形態 WAFER SAWN
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ --
パッケージ名 -
梱包サイズ 1
梱包形態 WAFER SAWN
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon’s HighSpeed 3 family provides the best compromise between switching and conduction losses for frequencies between 25kHz and 70kHz. The key feature of this family is a MOSFET-like turn-off switching behavior, leading to low turn-off losses.

特長

  • Positive temperature coefficient
  • Easy paralleling

アプリケーション

業務用空調
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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