IGC033S101
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IGC033S101

(Not for sale in China) CoolGaN™ Transistor 100 V G3 in PQFN 3x5, 2.4 mΩ
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IGC033S101
IGC033S101
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製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • ID (@25°C) (最大)
    75 A
  • IDpuls (@25°C) (最大)
    330 A
  • QG
    11 nC
  • RDS (on) (typ)
    2.4 mΩ
  • VDS (最大)
    100 V
  • パッケージ
    PQFN 3x5
  • 環境規制対応
    RoHS compliant, Halogen free
  • 認定
    Industrial

OPN
IGC033S101XTMA1
製品ステータス on request
インフィニオン パッケージ
VSON-6
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
MY
ウェハ製造国
AT

製品ステータス on request
インフィニオン パッケージ
VSON-6
パッケージ名 -
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
MY
ウェハ製造国
AT

特長

  • 100 V e-mode power transistor
  • Bottom-side cooled package
  • High switching frequency
  • No reverse recovery charge
  • Reverse conduction capability
  • Low gate charge, low output charge
  • Qualified according to JEDEC

利点

  • Best-in-class power density
  • Highest efficiency
  • Improved thermal management
  • Enabling smaller and lighter designs
  • Excellent reliability
  • Lowering BOM cost
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ