Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

IDW20G65C5B

データシート
パッケージ
ボード
EA.
在庫あり

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IDW20G65C5B
IDW20G65C5B
EA.
データシート

Product details

  • I(FSM) max
    58 A
  • IF max
    10 A
  • IR
    0.5 µA
  • Ptot max
    130 W
  • QC
    15 nC
  • RthJC
    1.8 K/W
  • VF
    1.5 V
  • パッケージ
    TO247
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
IDW20G65C5BXKSA2
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
CoolSiC™ generation 5 represents Infineon leading edge technology for the SiC Schottky Barrier diodes. Thanks to the more compact design and thinwafer technology, the family of products shows improved efficiency over all load conditions, resulting from both the improved thermal characteristics and a lower figure of merit (Q c x V f).

The CoolSiC™ Generation 5 has been designed to complement our 650V CoolMOS™ families: this ensures meeting the most stringent application requirements in this voltage range.

機能

  • V br at 650V
  • Improved figure of merit (Q c x V f)
  • No reverse recovery charge
  • Soft switching reverse recovery waveform
  • Temperature independent switching behavior
  • High operating temperature (T j max 175°C)
  • Improved surge capability
  • Pb-free lead plating

利点

  • Higher safety margin against overvoltage and complements CoolMOS™ offer
  • Improved efficiency over all load conditions
  • Increased efficiency compared to Silicon Diode alternatives
  • Reduced EMI compared to snappier Silicon diode reverse recovery waveform
  • Highly stable switching performance
  • Reduced cooling requirements
  • Reduced risks of thermal runaway
  • RoHS compliant
  • Very high quality and high volume manufacturing capability

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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