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RoHS準拠
鉛フリー

IDC08D120T8M

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IDC08D120T8M
IDC08D120T8M

製品仕様情報

  • I(FSM) max
    20 A
  • IF max
    10 A
  • IR max
    2.7 µA
  • VDS max
    1200 V
  • VF
    1.7 V
  • 技術
    Emitter Controlled Diode 4 Medium Power
OPN
IDC08D120T8MX1SA1
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ --
パッケージ名 N/A
包装サイズ 1
包装形態 WAFER SAWN
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ --
パッケージ名 -
包装サイズ 1
包装形態 WAFER SAWN
水分レベル -
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Fast switching emitter controlled diode for low / medium power modules.

機能

  • 1200 V Emitter Controlled 4 techno.
  • 110 µm chip
  • Soft, fast switching
  • Low reverse recovery charge
  • Small temperature coefficient

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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