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IAUTN12S5N018T

120 V, N-Ch, 1.8 mΩ max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15), OptiMOS™ 5
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IAUTN12S5N018T
IAUTN12S5N018T
EA.
データシート

Product details

  • Currently planned availability until at least
    2038
  • ID (@25°C) max
    300 A
  • QG (typ @10V)
    111 nC
  • QG (typ @10V) max
    145 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.8 mΩ
  • VDS max
    120 V
  • VGS(th)
    3.1 V
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Technology
    OptiMOS™-5
  • Polarity
    N
  • Launch year
    2023
  • Qualification
    Automotive
推奨
OPN
IAUTN12S5N018TATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-HDSOP-16
パッケージ名 TOLT
包装サイズ 1800
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-HDSOP-16
パッケージ名 TOLT
包装サイズ 1800
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The IAUTN12S5N018T is a 1.8 mΩ, topside-cooled 120 V MOSFET coming in the TOLT package with Infineon’s leading OptiMOS™ 5 technology. Next to others the device is designed for HV-LV DCDC converter.

機能

  • OptiMOS™ 5 power MOSFET
  • N-channel–Enhancement mode–Normal Level
  • AEC Q101 qualified
  • MSL1 up to 260°C peak reflow
  • 175°C operating temperature
  • Green Product (RoHS compliant)
  • 100% Avalanche tested
  • PPAP Capable Device

利点

  • Ideal for HV-LV DCDC converter
  • Also available in TOLL and TOLG package

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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