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RoHS準拠

IAUTN08S5N012L

80 V, N-Ch, 1.15 mΩ or 9.0 mΩ max, Automotive MOSFET, TOLL (10x12), OptiMOS™ 5
データシート
パッケージ
ボード
EA.
在庫あり

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IAUTN08S5N012L
IAUTN08S5N012L
EA.
データシート

Product details

  • Currently planned availability until at least
    2038
  • ID (@25°C) max
    300 A
  • QG (typ @10V)
    178 nC, 19 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.15 mΩ, 9 mΩ
  • VDS max
    80 V
  • VGS(th)
    2.9 V
  • Package
    PG-HSOF-8-2
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Technology
    OptiMOS™-5
  • Polarity
    N
  • Launch year
    2024
  • Qualification
    Automotive
推奨
OPN
IAUTN08S5N012LATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 TOLL
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 TOLL
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり

機能

  • Two MOSFET types in one package
  • Linear FET and low RDS(on) FET types
  • LINFET to switch slow, limit current
  • ONFET to limit steady-state losses
  • LINFET has enhanced SOA
  • Tight VGS(th) ranges, good to parallel
  • Dedicated gate pins for each MOSFET
  • Common MOSFET source and drain pins
  • AEC-Q101 Qualified & PPAP Capable
  • Enhanced electrical testing
  • MSL1 up to 260°C peak reflow
  • 175°C operating temperature

利点

  • Best of two MOSFET types in one part
  • Independent control of each MOSFET
  • Minimize EMI by slow switching
  • Limit in-rush current
  • Clamp for over-voltage protection
  • Minimize conduction losses with ONFET
  • High linear mode current at high VDS
  • Possible to replace 2 FETs, save cost
  • Proven rugged OptiMOS™ 5 and TOLL
  • Designed for Automotive robustness
  • High quality production for Automotive

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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