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生産終了
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RoHS準拠
鉛フリー

GS66502B-TR

生産終了
CoolGaN™ Transistor 650 V ≤ G3 for ultimate efficiency and reliability
データシート
パッケージ

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GS66502B-TR
GS66502B-TR
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    15 A
  • IDpuls (@25°C) max
    30 A
  • QG
    3.3 nC
  • RDS (on) (typ)
    100 mΩ
  • RDS (on) max
    130 mΩ
  • VDS max
    650 V
  • パッケージ
    GaNPX
  • 環境規制対応
    RoHS compliant, Halogen free
  • 認定
    Industrial
OPN
GS66502BTRXUMA1
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-ULGA-3
パッケージ名 GaNPX (R)
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-ULGA-3
パッケージ名 GaNPX (R)
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The GS66502B-TR is an enhancement mode GaN-on-Silicon power transistor. The properties of GaN allow for high current, high voltage breakdown and high switching frequency. The GS66502B-TR is a bottom-side cooled transistor in a GaNPX® package with very low junction-to-case thermal resistance for high power applications such as ACDC and DCDC converters, motor drives and industrial power supplies.

機能

  • E-mode HEMT – normally OFF
  • Ultrafast switching
  • No reverse-recovery charge
  • Capable of reverse conduction
  • Low gate charge, low output charge
  • Superior commutation ruggedness
  • JEDEC qualified (JESD47, JESD22)
  • Bottom-side cooled
  • Zero reverse recovery loss
  • Fast, controllable fall and rise times
  • RoHS 3(6+4) compliant

利点

  • Improves system efficiency
  • Improves power density
  • Reduces system weight
  • Enables higher operating frequency
  • System cost reduction savings

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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