Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

FM25040B-GTR

EA.
個の在庫あり

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FM25040B-GTR
FM25040B-GTR
EA.

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    4 kBit
  • インターフェース
    SPI
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ~ 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (範囲)
    4.5 V ~ 5.5 V
  • 動作電圧 (範囲)
    4.5 V ~ 5.5 V
  • 周波数
    20 MHz
  • 組織 (X x Y)
    0.5Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    0 ns
OPN
FM25040B-GTR
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
FM25040B-GTRは4-Kbit(512×8)シリアル鉄電ランダムアクセスメモリ(F-RAM)で、高耐久性の非揮発性ストレージを提供し、100兆回の読書きサイクルと65°Cで151年のデータ保持が可能です。動作電圧は4.5 V~5.5 V、SPIインターフェースは最大20 MHz、高度な書き込み保護と低消費電力、-40°C~+85°Cの広範囲動作、RoHS準拠8ピンSOICパッケージで、産業用、データロギング、制御用途に最適です。

特長

  • 4-Kbit F-RAM、512×8構成
  • 100兆回の読書き耐久性
  • 65°Cで151年のデータ保持
  • NoDelay™書き込み即時保存
  • SPI最大20 MHz対応
  • シリアルフラッシュ/EEPROM置換可
  • SPIモード0・3対応
  • ハード/ソフト両方の書き込み保護
  • 1 MHz時動作電流250 μA
  • 待機電流4 μA(標準)
  • VDD動作範囲4.5 V~5.5 V
  • 動作温度–40°C~+85°C

利点

  • 重要データの信頼性非揮発保存
  • 書き込み遅延なしで高速動作
  • 頻繁なデータ更新にも強い
  • 電源断でもデータ消失防止
  • 置換でアップグレード容易
  • SPI対応で柔軟な統合
  • 誤書き防止でデータ保護
  • システム消費電力を低減
  • 過酷な環境にも対応
  • 長期保存で保守負担軽減
  • 全電圧域で安定性能
  • 既存設計に容易に統合

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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