Active and preferred
RoHS準拠

FF900R12IE4

1200 V、900 AハーフブリッジIGBTモジュール
データシート
ボード

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FF900R12IE4
FF900R12IE4
データシート

製品仕様情報

  • IC(nom) / IF(nom)
    900 A
  • IC (最大)
    900 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    1.75 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.9 V
  • コンフィギュレーション
    half-bridge
  • パッケージ
    PrimePACK™ 2
  • 寸法 (length)
    172 mm
  • 寸法 (width)
    89 mm
  • 技術
    IGBT4 - E4
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス (最大)
    1200 V
推奨
OPN
FF900R12IE4BOSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ AG-PRIME2
パッケージ名 N/A
包装サイズ 3
包装形態 TRAY
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ AG-PRIME2
パッケージ名 -
包装サイズ 3
包装形態 TRAY
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
PrimePACK™ 2 1200 V、900 AハーフブリッジIGBTモジュール、TRENCHSTOP™ IGBT4、エミッター制御4ダイオード、NTC、高速スイッチング チップ搭載。TIM (熱伝導材料) 塗布のオプションもあります。

特長

  • 拡張動作温度Tvj op
  • 高いDC安定性
  • 高い電流密度
  • 低スイッチング損失
  • 比類のない堅牢性
  • 正の温度での係数 VCEsat
  • 耐電圧: AC 4 kV / 1 min
  • CTI > 400のパッケージ
  • 高い沿面距離および空間距離 (クリアランス)
  • 高い電力および熱サイクル耐性
  • 低熱抵抗用基板
  • UL認証

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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