Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

FF800R12KE7

1200 V、800 AハーフブリッジIGBTモジュール

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FF800R12KE7
FF800R12KE7

製品仕様情報

  • IC(nom) / IF(nom)
    800 A
  • IC (最大)
    800 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    1.5 V
  • VCES / VRRM
    1200 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.8 V
  • コンフィギュレーション
    half-bridge
  • パッケージ
    62 mm
  • 寸法 (width)
    61.4 mm
  • 寸法 (length)
    106.4 mm
  • 技術
    IGBT7 - E7
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス (最大)
    1200 V
OPN
FF800R12KE7HPSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ AG-62MMHB
パッケージ名 N/A
包装サイズ 10
包装形態 TRAY
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ AG-62MMHB
パッケージ名 -
包装サイズ 10
包装形態 TRAY
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
1200 V/800 A TRENCHSTOP™ IGBT7および62 mmエミッター制御7ダイオードを搭載した、低飽和、高速トレンチ ハーフブリッジIGBTモジュール。

特長

  • 最高電力密度
  • クラス最高のVCEsat
  • Tvj op= 175℃ 過負荷
  • 高い沿面距離および空間距離 (クリアランス)
  • RoHS準拠
  • 耐電圧: AC 4 kV / 1 min
  • CTI > 400のパッケージ
  • UL1557 E83336準拠のUL/CSA認証

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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