Active and preferred
RoHS準拠

FF55MR12W1M1H_B70

CoolSiC™ MOSFET halfbridge module 1200 V
データシート
EA.
在庫あり

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FF55MR12W1M1H_B70
FF55MR12W1M1H_B70
EA.
データシート

Product details

  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    52.9 mΩ
  • アプリケーション
    Industrial drives, EV Charger, Servo motor
  • コンフィギュレーション
    Half-bridge
  • パッケージ
    Easy 1B
  • 寸法 (length)
    62.8 mm
  • 寸法 (width)
    33.8 mm
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
FF55MR12W1M1HB70BPSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ AG-EASY1B
パッケージ名 N/A
包装サイズ 24
包装形態 TRAY
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ AG-EASY1B
パッケージ名 -
包装サイズ 24
包装形態 TRAY
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
EasyDUAL™ 1B CoolSiC™ MOSFET half-bridge module 1200 V, 55 mΩ with PressFit contact technology and AlN Ceramic.

機能

  • Wide RBSOA
  • Very low stray inductance
  • Enlarged gate drive voltage window
  • PressFIT pins
  • High thermal conductivity

利点

  • Extended maximum gate-source voltage of +23 V and -10 V
  • Tvjop under overload condition with up to 175°C
  • Best cost-performance ration which leads to reduced system costs
  • Enabling high frequency operation and improvement for reduced cooling requirements

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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