Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

FF2MR12KM1H

CoolSiC™ MOSFET half bridge module 1200 V
データシート

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FF2MR12KM1H
FF2MR12KM1H
データシート

製品仕様情報

  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    2 mΩ
  • アプリケーション
    UPS, ESS, Solar, EV Charger
  • コンフィギュレーション
    Half-bridge
  • パッケージ
    62 mm
  • 寸法 (length)
    106.4 mm
  • 寸法 (width)
    61.4 mm
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
FF2MR12KM1HHPSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ AG-62MMHB
パッケージ名 N/A
包装サイズ 10
包装形態 TRAY
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ AG-62MMHB
パッケージ名 -
包装サイズ 10
包装形態 TRAY
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
62 mm CoolSiC™ MOSFET half bridge module 1200 V, 2.1 mΩ G1 in the well known 62mm housing combined with M1H chip technology. Also available with pre-applied Thermal Interface Material .

機能

  • High current density
  • Low switching losses
  • Superior gate oxide reliability
  • Highest robustness against humidity
  • Robust integrated body diode
  • High cosmic ray robustness
  • High speed switching module
  • Symmetrical module design
  • Standard construction technique

利点

  • Minimizes cooling efforts
  • Reduction in volume and size
  • Reduced system costs

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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