FF200R12KT3_E
新規設計非推奨
RoHS対応
鉛フリー

FF200R12KT3_E

1200 V, 200 A common emitter IGBT module
データシート

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FF200R12KT3_E
FF200R12KT3_E
データシート

製品仕様情報

  • IC(nom) / IF(nom)
    200 A
  • IC (最大)
    200 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    1.7 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.65 V
  • コンフィギュレーション
    Common Emitter
  • パッケージ
    62 mm
  • 寸法 (length)
    106.4 mm
  • 寸法 (width)
    61.4 mm
  • 技術
    IGBT3 - T3
  • 特長
    Phase leg
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス (最大)
    1200 V
OPN
FF200R12KT3EHOSA1
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ AG-62MMHB
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 10
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ AG-62MMHB
パッケージ名 -
梱包サイズ 10
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
62 mm 1200 V, 200 A Common Emitter IGBT module with fast trench/fieldstop IGBT3. 3-level phase leg configurations are possible in combination with our 1200 V 62 mm dual modules (e.g. FF200R12KT3 ).

特長

  • For frequ. control. inverter drives
  • UL/CSA certif. with UL1557 E83336
  • Tvj op up to 125 °C (max 150 °C)
  • Optimized switching characteristic
  • Package w/ higher current capabili.
  • RoHS compliant
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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