Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

FF1MR12KM1H

CoolSiC™ MOSFET half bridge module 1200 V
EA.
在庫あり

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FF1MR12KM1H
FF1MR12KM1H
EA.

Product details

  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    1.5 mΩ
  • アプリケーション
    UPS, ESS, Solar, EV Charger
  • コンフィギュレーション
    Half-bridge
  • パッケージ
    62 mm
  • 寸法 (length)
    106.4 mm
  • 寸法 (width)
    61.4 mm
  • 認定
    Industrial
OPN
FF1MR12KM1HHPSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ AG-62MMHB
パッケージ名 N/A
包装サイズ 10
包装形態 TRAY
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ AG-62MMHB
パッケージ名 -
包装サイズ 10
包装形態 TRAY
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
62 mm CoolSiC™ MOSFET half bridge module 1200 V, 1.6 mΩ G1 in the well known 62mm housing combined with M1H chip technology. Also available with pre-applied Thermal Interface Material (TIM).

機能

  • High current density
  • Low switching losses
  • Superior gate oxide reliability
  • Highest robustness against humidity
  • Robust integrated body diode
  • High cosmic ray robustness
  • High speed switching module
  • Symmetrical module design
  • Standard construction technique

利点

  • Minimizes cooling efforts
  • High switching frequency
  • reduced volume and size
  • Reduction of system costs

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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