FF1MR12KM1H
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

FF1MR12KM1H

CoolSiC™ MOSFET half bridge module 1200 V
データシート

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FF1MR12KM1H
FF1MR12KM1H
データシート


製品仕様情報

  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    1.5 mΩ
  • アプリケーション
    UPS, ESS, Solar, EV Charger
  • コンフィギュレーション
    Half-bridge
  • パッケージ
    62 mm
  • 寸法 (width)
    61.4 mm
  • 寸法 (length)
    106.4 mm
  • 特長
    TIM
  • 認定
    Industrial

推奨
OPN
FF1MR12KM1HHPSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ AG-62MMHB
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 10
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
組立国
HU
ウェハ製造国
AT
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ AG-62MMHB
パッケージ名 -
梱包サイズ 10
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
HU
ウェハ製造国
AT
62 mm CoolSiC™ MOSFET half bridge module 1200 V, 1.6 mΩ G1 in the well known 62mm housing combined with M1H chip technology. Also available with pre-applied Thermal Interface Material (TIM).

特長

  • High current density
  • Low switching losses
  • Superior gate oxide reliability
  • Highest robustness against humidity
  • Robust integrated body diode
  • High cosmic ray robustness
  • High speed switching module
  • Symmetrical module design
  • Standard construction technique

利点

  • Minimizes cooling efforts
  • High switching frequency
  • reduced volume and size
  • Reduction of system costs
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ