Active and preferred
RoHS準拠

FF1000UXTR23T2M1P

CoolSiC™ MOSFET half-bridge module 2300 V
データシート

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FF1000UXTR23T2M1P
FF1000UXTR23T2M1P
データシート

Product details

  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    0.95 mΩ
  • アプリケーション
    Renewables, ESS, H2, Traction
  • コンフィギュレーション
    Half-bridge
  • パッケージ
    XHP™ 2
  • 寸法 (length)
    140 mm
  • 寸法 (width)
    100 mm
  • 特長
    .XT interconnection technology, TIM
  • 認定
    Traction, Industrial
推奨
OPN
FF1000UXTR23T2M1PBPSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ AG-XHP2K23
パッケージ名 N/A
包装サイズ 4
包装形態 TRAY
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ AG-XHP2K23
パッケージ名 -
包装サイズ 4
包装形態 TRAY
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET 2300 V, 1.3 mΩ module with halfbridge topology, robust .XT interconnection technology for enhanced lifetime with best in class reliability and with pre-applied Thermal Interface Material (TIM).

機能

  • Integrated body diode
  • 2000 A Inom
  • Low-inductive housing XHP™ 2
  • .XT interconnection technology
  • Symmetrical module design
  • Lowest switching and conduction losses
  • Tvj,op = 175°C continuous
  • 4 kV isolation voltage
  • Cu baseplate

利点

  • Energy efficiency
  • High power density
  • Extended lifetime
  • Best in class reliability

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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