DF80R07W1H5FP_B11
Active and preferred
RoHS対応

DF80R07W1H5FP_B11

650 V, 80 A booster IGBT module
データシート
個.
在庫あり

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DF80R07W1H5FP_B11
DF80R07W1H5FP_B11
個.
データシート

製品仕様情報

  • IC(nom) / IF(nom)
    80 A
  • IC (最大)
    80 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    1.4 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.6 V
  • コンフィギュレーション
    Booster
  • パッケージ
    EasyPACK™ 1B
  • 技術
    IGBT5 - H5
  • 特長
    TIM, PressFIT, SiC Schottky diode
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス (最大)
    650 V
推奨
OPN
DF80R07W1H5FPB11BPSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ AG-EASY1B
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 30
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ AG-EASY1B
パッケージ名 -
梱包サイズ 30
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
EasyPACK™ 650 V, 100 A booster IGBT module with TRENCHSTOP™ 5 H5 , CoolSiC™ Schottky diode , PressFIT contact technology and pre-applied Thermal Interface Material .

特長

  • Blocking voltage capability < 650 V
  • Low switching losses
  • Low inductive design
  • Al2O3 substrate
  • Integrated NTC temperature sensor
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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