D711N65T
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

D711N65T

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D711N65T
D711N65T

製品仕様情報

  • I(FSM) (最大)
    10500 A
  • IFAVM/TC [A/°C] (@180° el sin)
    790/100
  • IFAVM/Tc
    790/100 (180 ° el sin)
  • IFSM [A] (@10ms, Tvj max)
    10500
  • rT [mΩ] (@Tvj max) (最大)
    0.87
  • RthJC [K/kW] (@180° el sin) (最大)
    31.5
  • Tvj [°C] (最大)
    160
  • VF/IF [V/kA] (@Tvj max)
    1.77/1.2
  • VRRM [V]
    6500
  • VRRM (最大)
    6500 V
  • VT0 [V] (@Tvj max) (最大)
    0.84
  • ∫I2dt [A²s · 103] (@10ms, Tvj max)
    550
  • クランプ力 [kn] 範囲
    10~16
  • コンフィギュレーション
    Rectifier Diodes
  • パッケージ
    Disc dia 58mm height 26mm / Ceramic
OPN
D711N65TXPSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ BG-D5826K-1
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 6
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ BG-D5826K-1
パッケージ名 -
梱包サイズ 6
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The D711N Rectifier Diode discs are assembled in high reliable, robust and hermetic sealed ceramic housings with a dia of 58mm and a height of 26mm.

特長

  • Full blocking capability 50/60 Hz*
  • High DC blocking stability
  • High surge current capability
  • Hermeticaly sealed ceramic package
  • High case non-rupture current
  • *over a wide temperature range

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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