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RoHS準拠

CYAT817LS-100AS72

Automotive 1200V Silicon-carbide (SiC) Trench Power MOSFET in D2PAK-7L, 30mΩ
データシート
パッケージ

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CYAT817LS-100AS72
CYAT817LS-100AS72
データシート

Product details

  • GPIOs
    13
  • Touch+ MCU functions
    Yes
  • Touch only
    No
  • Package
    100-pin TQFP
  • Family
    TSG7_L
  • Number of fingers
    10
  • Number of sense pins
    72
  • Temperature
    – 40°C - +105°C
推奨
OPN
CYAT817LS-100AS72
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TQFP-100
パッケージ名 TQFP-100 (51-85048)
包装サイズ 900
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TQFP-100
パッケージ名 TQFP-100 (51-85048)
包装サイズ 900
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
With Infineon’s performance optimized chip technology (Gen1p), the SiC Mosfet features best-in-class switching performance, robustness against parasitic turn-ons, as well as improved RDSon and Rth(j-c). High power density, superior efficiency, bi-directional charging capabilities and significant reductions in system costs making it an ideal choice for on-board charger and DCDC applications.

機能

  • Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide
  • Very low switching losses
  • Threshold-free on state characteristic
  • 0V turn-off gate voltage
  • Benchmark gate threshold voltage, VGS(th)=4.5V
  • Fully controllable dv/dt
  • Commutation robust body diode, ready for synchronous rectification
  • Temperature independent turn-off switching losses
  • Sense pin for optimized switching performance
  • Suitable for HV creepage requirements
  • XT interconnection technology for best-in-class thermal performance

利点

  • Efficiency improvement
  • Enabling higher frequency
  • Increased power density
  • Cooling effort reduction
  • Reduction of system complexity and cost

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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