CY7C1049GN30-10VXI
Active and preferred
RoHS対応

CY7C1049GN30-10VXI

データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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CY7C1049GN30-10VXI
CY7C1049GN30-10VXI
個.
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FAST SRAM
  • メモリ容量
    4 MBit
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    512K x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    10 ns

推奨
OPN
CY7C1049GN30-10VXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-SOJ-36
パッケージ名 SOJ-36 (51-85090)
梱包サイズ 570
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-SOJ-36
パッケージ名 SOJ-36 (51-85090)
梱包サイズ 570
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
CY7C1049GN30-10VXIは4 Mbit（512K×8）の非同期CMOS SRAMで、CE/OE/WE制御による読み書きと10 nsアドレスアクセスを備えます。動作電圧は2.2 V～3.6 V、温度範囲は-40°C～85°Cで、1.0 Vデータリテンションに対応。DC仕様は動作ICC最大45 mA（f=100 MHz）と自動CEパワーダウン待機ISB2最大8 mA。Pbフリー36ピン成形SOJで、入力/IO容量10 pF。

特長

  • 512K×8ビットSRAM構成
  • tAAアクセス最短10 ns
  • VCCは1.65–5.5 V系
  • 100 MHzでICC最大45 mA
  • CMOS待機ISB2最大8 mA
  • TTL待機ISB1最大15 mA
  • OE/CE/WEで読出し/書込み
  • 非選択時I/Oは3ステート
  • VCC=1.0 Vでデータ保持
  • VCC=1.2 VでICCDR最大8 mA
  • tRCリードサイクル10 ns
  • tDOE OE→データ最大4.5 ns

利点

  • 8ビットMCUのマップに適合
  • 10 nsで高速バスに対応
  • 1.8/3.3/5 Vで置換容易
  • 高速時も消費電力が読める
  • アイドル時の待機電力を低減
  • TTL入力で接続が簡単
  • 非同期IFでクロック不要
  • High-Zでバス共有が可能
  • バックアップ電源で保持
  • 保持電流が低く省エネ
  • 短い読出しで低レイテンシ
  • 高速OEでバス切替を改善
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ