CY7C1049GN30-10VXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY7C1049GN30-10VXI

データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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CY7C1049GN30-10VXI
CY7C1049GN30-10VXI
個.
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FAST SRAM
  • メモリ容量
    4 MBit
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    512K x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    10 ns

推奨
OPN
CY7C1049GN30-10VXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-SOJ-36
パッケージ名 SOJ-36 (51-85090)
梱包サイズ 570
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
長期供給予定期限 2033
発売開始日 03/2022
組立国
TW
ウェハ製造国
TW
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-SOJ-36
パッケージ名 SOJ-36 (51-85090)
梱包サイズ 570
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
長期供給予定期限 2033
発売開始日 03/2022
組立国
TW
ウェハ製造国
TW
個.
在庫あり
CY7C1049GN30-10VXI is a 4-Mbit (512K × 8) asynchronous CMOS SRAM with 10 ns address access for read/write via CE, OE, and WE. It operates from 2.2 V to 3.6 V over -40°C to 85°C and supports 1.0 V data retention. DC specs include up to 45 mA operating ICC (f = 100 MHz) and 8 mA ISB2 automatic CE power-down standby. Available in a Pb-free 36-pin molded SOJ with 10 pF input/I/O capacitance.

特長

  • 512K × 8-bit SRAM organization
  • tAA access time down to 10 ns
  • VCC options: 1.65–5.5 V families
  • ICC 45 mA max at 100 MHz
  • ISB2 standby 8 mA max (CMOS)
  • ISB1 standby 15 mA max (TTL)
  • OE/CE/WE control read and write
  • Three-state I/O when deselected
  • Data retention at VCC = 1.0 V
  • ICCDR 8 mA max at VCC = 1.2 V
  • tRC read cycle time 10 ns
  • tDOE OE to data 4.5 ns max

利点

  • Fits 8-bit MCU memory maps
  • 10 ns access supports fast buses
  • Drop-in across 1.8/3.3/5 V rails
  • Predictable power at high speed
  • Lower standby draw in idle mode
  • TTL input mode eases interfacing
  • Simple async interface, no clock
  • High-Z I/O enables shared bus
  • Keeps data with backup supply
  • Low retention current saves energy
  • Short read cycle cuts latency
  • Fast OE improves bus turnarounds
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ