CY15B256J-SXET
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY15B256J-SXET

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CY15B256J-SXET
CY15B256J-SXET

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    256 kBit
  • インターフェース
    I2C
  • 動作温度 範囲
    -40 °C~125 °C
  • 動作電圧 範囲
    2 V~3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    128K x 8
  • 認定
    Automotive(E)
OPN
CY15B256J-SXET
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY15B256J-SXETは256 Kbit(32K × 8)車載グレードのシリアルF-RAMで、I2Cインターフェースを採用し、85°Cで121年のデータ保持と10兆回の読み書き耐久性を実現します。2.0 V~3.6 V動作、最大3.4 MHz I2C対応、アクティブ時500 μA(100 kHz)、スリープ時12 μA。8ピンSOICパッケージ、AEC-Q100 Grade 1(–40°C~+125°C)認定。瞬時書き込みが可能で、頻繁かつ迅速な信頼性の高い不揮発性データ保存が必要な車載・産業用途に最適です。

特長

  • 256 Kbit不揮発性F-RAM、32K×8構成
  • I2Cシリアル最大3.4 MHz
  • NoDelay™書込、RAM並み速度
  • 10^13回の読書耐久性
  • 85°Cで121年データ保持
  • 低消費電力:500 μA動作、12 μA休止
  • 広VDD:2.0 V~3.6 V
  • 動作温度:–40°C~+125°C
  • メーカー・製品ID搭載
  • シリアルEEPROMと互換

利点

  • 即時で信頼性の高いデータ保存
  • 高速・頻繁なデータ記録対応
  • 書込遅延なしでリアルタイム制御
  • EEPROMより高い書込耐久性
  • 長期間データ保持で安心
  • システム消費電力を削減
  • 幅広い電圧環境に対応
  • 車載環境でも高い信頼性
  • デバイス識別・追跡が容易
  • EEPROM設計から簡単移行

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ