CY14B101LA-SZ25XIT

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データシート

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CY14B101LA-SZ25XIT
CY14B101LA-SZ25XIT
データシート

製品仕様情報

  • Density
    1024 kBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.7 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    128Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    25 ns
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
CY14B101LA-SZ25XITは、高速SRAMとQuantumTrap技術を採用した不揮発性ストレージを各セルに組み合わせた、1Mビット (128K×8) の並列nvSRAMです。単一の3.0 V電源 (+20%/-10%) で25 nsアクセスに対応し、電源断時には VCAP コンデンサーを用いたAutoStore を実行します。ソフトウェアまたは HSB ピンによる STORE/RECALL も実行します。産業アプリケーション向けに、温度範囲-40～85℃に対応し、100万回のSTOREサイクル、および20年間にわたりデータを保持し、組み込みシステムにおける不揮発性バッファリングを実現します。

特長

  • QuantumTrap nvSRAMアーキテクチャ
  • 不揮発性STORE機能付き1 MビットSRAM
  • VCAPによるパワーダウン時のAutoStore
  • HSBピンまたはソフトウェア シーケンスでSTORE
  • 電源投入時またはソフトウェア シーケンスによるRECALL
  • tSTORE: 最大8 ms
  • tHRECALL: 最大20 ms
  • tRECALL最大200 μs
  • VCC 2.7 V～3.6 V
  • データ保持期間: 20年
  • 不揮発性STOREサイクル: 100万回
  • 2.65 V 未満の VCC 低下による動作禁止

利点

  • 突然の停電時のデータ保持
  • NVM管理用ファームウェアを削減
  • 電源復旧後の高速復元
  • ハードウェア制御とソフトウェア制御の両方に対応
  • 予測可能な保存時間 (最大8 ms)
  • 予測可能なブートリコール (20 ms)
  • ブラウンアウト時の書き込み破損なし
  • 3 V電源による一般的なロジックレールに適合
  • ログ記録に適した20年間のデータ保持
  • 100万回のSTORESによる頻繁な保存対応
  • 高トラフィックに対応する無制限のSRAM読み出し/書き込み
  • ビジーフラグ (HSB) によりタイミングを簡素化

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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