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RoHS準拠

BUP06CN035L-01

Designed for LEO space applications and constellations

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BUP06CN035L-01
BUP06CN035L-01

製品仕様情報

  • ESDクラス
    1C
  • ID (@25°C) max
    52 A
  • IDpuls
    100 A
  • Ptot
    150 W
  • QG (typ @10V)
    26 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    35 mΩ
  • TID max
    30 Krad(Si)
  • VBRDSS min
    60 V
  • VDS max
    60 V
  • VGS(th)
    2 V to 4 V
  • VGS
    20
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    PG-TO263-3
  • 動作温度
    -40 °C to 125 °C
  • 技術
    CoolMOS(TM)
  • 極性
    N
  • 認定
    AEC-Q101
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
Radiation tolerant, 60V, 52A, N-channel MOSFET, PG-TO263, 30krad(Si) TID

機能

  • Optimized for LEO missions and constellations
  • Radiation tolerant (LET of 46 MeV∙cm²/mg)
  • Qualified according to AEC-Q101 standard

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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