BTS3110N
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

BTS3110N

N channel vertical power FET in Smart SIPMOS technology. Fully protected by embedded protection functions.
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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BTS3110N
BTS3110N
個.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2039
  • EAS/Avalanche Energy
    150 mJ
  • EAS (Energy capability)
    150 mJ
  • ID(lim) (最小)
    5 A
  • ID
    1.4 A
  • IL(nom)
    1.4 A
  • IL (Short Circuit Current)
    5 A
  • Ptot (最大)
    3.8 W
  • RDS (on) (@ Tj = 150°C) (最大)
    480 mΩ
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    190 mΩ
  • toff (Turn OFF time) (最大)
    100 µs
  • ton (Turn ON time) (最大)
    100 µs
  • VDS (最大)
    42 V
  • チャネルあたりの公称負荷電流
    1.4 A
  • チャネル
    1
  • ファミリー
    Classic HITFET™ 12V
  • 保護戦略
    Latch
  • 分類
    -
  • 制御インターフェース
    Discrete
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～150 °C
  • 実装
    SMT
  • 推奨動作電圧 (最大)
    42 V
  • 診断
    -
  • 負荷電流
    1.4 A
推奨
OPN
BTS3110NHUMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-SOT223-4
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-SOT223-4
パッケージ名 -
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり

特長

  • Logic Level Input
  • Input Protection (ESD)
  • Thermal shutdown with latch
  • Green product (RoHS compliant)
  • Overload protection
  • Short circuit protection
  • Overvoltage protection
  • Current limitation
  • Analog driving possible
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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