Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

BSZ15DC02KD H

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BSZ15DC02KD H
BSZ15DC02KD H

Product details

  • Ciss
    315 pF, 270 pF
  • Coss
    114 pF, 110 pF
  • ID (@25°C) max
    3.2 A, 5.1 A
  • IDpuls max
    20 A, -13 A
  • Ptot max
    2.5 W
  • QG (typ @4.5V) max
    3 nC
  • RDS (on) (@4.5V) max
    55 mΩ, 150 mΩ
  • RthJA max
    60 K/W
  • RthJC max
    8 K/W
  • Rth
    8 K/W
  • VDS max
    20 V, -20 V
  • VGS(th)
    -1.4 V to -0.7 V, 0.8 V to 1.4 V
  • パッケージ
    PQFN 3.3 x 3.3
  • ピン数
    8 Pins
  • モード
    Enhancement
  • 予算価格€/ 1k
    0.39
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N+P
OPN
BSZ15DC02KDHXTMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 PQFN 3.3 x 3.3
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 PQFN 3.3 x 3.3
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Complementary power MOSFETs - an n-channel and a p-channel power MOSFET within the same package - are part of Infineon’s famous low voltage OptiMOS™ families, the market leader in high efficiency solutions for power generation (e.g. solar micro inverter), power supply (e.g. server and telecom) and power consumption (e.g. electric vehicle).

機能

  • Complementary P + N channel
  • Enhancement mode
  • Avalanche rated
  • Qualified according to AEC Q101
  • 100% lead-free; RoHS compliant

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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