Active and preferred
RoHS準拠

BSZ110N08NS5

OptiMOS™ 5 power MOSFET 80V for telecom applications
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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BSZ110N08NS5
BSZ110N08NS5
EA.
データシート

Product details

  • Ciss
    1000 pF
  • Coss
    180 pF
  • ID (@25°C) max
    40 A
  • IDpuls max
    160 A
  • Ptot max
    50 W
  • QG (typ @10V)
    15 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    11 mΩ
  • RthJA max
    60 K/W
  • RthJC max
    2.5 K/W
  • Rth
    2.5 K/W
  • VDS max
    80 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    PQFN 3.3 x 3.3
  • ピン数
    8 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    0.29
  • 動作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
推奨
OPN
BSZ110N08NS5ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TSDSON-8
パッケージ名 PQFN 3x3
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TSDSON-8
パッケージ名 PQFN 3x3
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
OptiMOS™ 5 80 V power MOSFET , especially designed for Synchronous Rectification for telecom and server power supplies . In addition, the device can also be utilized in other industrial applications such as solar , low voltage drives and adapter . Within seven different packages, the OptiMOS™ 5 80 V MOSFETs offer the industry’s lowest RDS(on). Additionally, compared to the previous generation, OptiMOS™ 5 80 V has an RDS(on) reduction of up to 43%.

機能

  • Optimized for synchronous rectification
  • Ideal for high switching frequency
  • Up to 44% reduced output capacitance
  • 43% RDS(on) reduction from previous gen

利点

  • Highest system efficiency
  • Reduced switching and conduction losses
  • Less paralleling required
  • Increased power density
  • Low voltage overshoot

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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