Active and preferred
RoHS準拠

BSZ086P03NS3E G

Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs.
データシート
EA.
在庫あり

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BSZ086P03NS3E G
BSZ086P03NS3E G
EA.
データシート

Product details

  • Ciss
    3190 pF
  • Coss
    1520 pF
  • ID (@25°C) max
    -40 A
  • IDpuls max
    -160 A
  • Ptot max
    69 W
  • QG (typ @10V)
    43.2 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    8.6 mΩ
  • Rth
    1.8 K/W
  • VDS max
    -30 V
  • VGS(th)
    -2.5 V
  • パッケージ
    PQFN 3.3 x 3.3
  • 予算価格€/ 1k
    0.26
  • 動作温度 max
    150 °C
  • 動作温度 min
    -55 °C
  • 極性
    P
推奨
OPN
BSZ086P03NS3EGATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ PG-TSDSON-8
パッケージ名 PQFN 3x3
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ PG-TSDSON-8
パッケージ名 PQFN 3x3
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and figure of merit characteristics.

機能

  • Enhancement mode
  • Normal, logic or super logic level
  • Avalanche rated
  • Pb-free lead plating; RoHS compliant

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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