BSZ086P03NS3 G
Active and preferred
RoHS対応

BSZ086P03NS3 G

Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs.
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パッケージ
ボード

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BSZ086P03NS3 G
BSZ086P03NS3 G
データシート

製品仕様情報

  • Ciss
    3190 pF
  • Coss
    1520 pF
  • ID (@25°C) (最大)
    -40 A
  • IDpuls (最大)
    -160 A
  • Ptot (最大)
    69 W
  • QG (typ @10V)
    43.2 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    8.6 mΩ
  • Rth
    1.8 K/W
  • VDS (最大)
    -30 V
  • VGS(th)
    -2.5 V
  • パッケージ
    PQFN 3.3 x 3.3
  • 予算価格€/ 1k
    0.27
  • 動作温度 (最大)
    150 °C
  • 動作温度 (最小)
    -55 °C
  • 極性
    P
推奨
OPN
BSZ086P03NS3GATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSDSON-8
パッケージ名 PQFN 3x3
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSDSON-8
パッケージ名 PQFN 3x3
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and figure of merit characteristics.

特長

  • Enhancement mode
  • Normal, logic or super logic level
  • Avalanche rated
  • Pb-free lead plating; RoHS compliant
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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