Active and preferred
RoHS準拠

BSZ009NE2LS5

Best-in-class OptiMOS™ 5 25V power MOSFET in high performance PQFN 3.3x3.3mm package for further performance improvement
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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BSZ009NE2LS5
BSZ009NE2LS5
EA.
データシート

Product details

  • ID (@ TC=25°C) max
    223 A
  • ID (@25°C) max
    223 A
  • IDpuls max
    892 A
  • Ptot max
    69 W
  • QG (typ @10V)
    92 nC
  • QG (typ @4.5V)
    52 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    0.9 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    1.2 mΩ
  • VDS max
    25 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • パッケージ
    PQFN 3.3 x 3.3 Fused Lead
  • ピン数
    8 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    0.58
  • 動作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    ORing/Efuse
推奨
OPN
BSZ009NE2LS5ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TSDSON-8
パッケージ名 PQFN 3x3
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TSDSON-8
パッケージ名 PQFN 3x3
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
Infineon extends its’ high performance MOSFET portfolio with BSZ009NE2LS5 OptiMOS™ 5 25V power MOSFET in the small PQFN 3.3x3x3 mm package. This device offers industry’s lowest RDS(on) of 0.9mΩ at 10V and is targeting mainly Or-ing and load switching applications.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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