BSZ009NE2LS5
アクティブ
RoHS対応

BSZ009NE2LS5

Best-in-class OptiMOS™ 5 25V power MOSFET in high performance PQFN 3.3x3.3mm package for further performance improvement
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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BSZ009NE2LS5
BSZ009NE2LS5
個.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@ TC=25°C) (最大)
    223 A
  • ID (@25°C) (最大)
    223 A
  • IDpuls (最大)
    892 A
  • Ptot (最大)
    69 W
  • QG (typ @10V)
    92 nC
  • QG (typ @4.5V)
    52 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    0.9 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    1.2 mΩ
  • VDS (最大)
    25 V
  • VGS(th) 範囲
    1.2 V～2 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • パッケージ
    PQFN 3.3 x 3.3 Fused Lead
  • ピン数
    8 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    0.58
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Logic Level, ORing/Efuse
推奨
OPN
BSZ009NE2LS5ATMA1
製品ステータス active
インフィニオン パッケージ
PG-TSDSON-8
パッケージ名 PQFN 3x3
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSDSON-8
パッケージ名 PQFN 3x3
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
Infineon extends its’ high performance MOSFET portfolio with BSZ009NE2LS5 OptiMOS™ 5 25V power MOSFET in the small PQFN 3.3x3x3 mm package. This device offers industry’s lowest RDS(on) of 0.9mΩ at 10V and is targeting mainly Or-ing and load switching applications.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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