BSO211P H

BSO211P H

Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs.

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BSO211P H
BSO211P H

製品仕様情報

  • Ciss
    730 pF
  • Coss
    240 pF
  • ID (最大)
    -4.6 A
  • IDpuls (最大)
    -18.4 A
  • Ptot (最大)
    1.6 W
  • QG
    -8 nC
  • RDS (on) (@2.5V) (最大)
    110 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    67 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V LL) (最大)
    67 mΩ
  • Rth
    110 K/W
  • VDS (最大)
    -20 V
  • VGS(th) 範囲
    -0.6 V~-1.2 V
  • パッケージ
    SO-8
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and figure of merit characteristics.

特長

  • Enhancement mode
  • Normal level, logic level or super logic level
  • Avalanche rated
  • Pb-free lead plating
  • RoHS compliant 

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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