BSL314PE

BSL314PE

P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET), -100 V, SOT-223
データシート

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BSL314PE
BSL314PE
データシート

製品仕様情報

  • Ciss
    221 pF
  • Coss
    126 pF
  • ID (最大)
    -1.5 A
  • IDpuls (最大)
    -6.1 A
  • Ptot (最大)
    0.5 W
  • QG
    -2.9 nC
  • RDS (on) (最大)
    140 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    230 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V LL) (最大)
    230 mΩ
  • RthJA (最大)
    250 K/W
  • Rth
    250 K/W
  • VDS (最大)
    -30 V
  • VGS(th) 範囲
    -1 V～-2 V
  • パッケージ
    TSOP-6 dual
  • ピン数
    6 Pins
  • モード
    Enhancement
  • 動作温度 (最小)
    -55 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    P
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
Infineon technologies offers automotive and industrial manufacturers a broad portfolio of N and P-Channel Small Signal MOSFETs that meet and exceed the highest quality requirements in well-known industry standard packages. With unmatched levels of reliability and manufacturing capacity these components are ideally suited for a wide variety of applications including LED lighting, ADAS, body control units, SMPS and motor control.

特長

  • Enhancement mode
  • Logic level
  • Avalanche rated
  • Fast switching
  • Dv/dt rated
  • Pb-free lead-plating
  • RoHS compliant, halogen-free
  • Qualified according to automotive standards
  • PPAP capable

利点

  • Low RDS(on) provides higher efficiency and extends battery life 
  • Small packages save PCB space
  • Best-in-class quality and reliability

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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