BSC105N15LS5
Active and preferred
RoHS対応

BSC105N15LS5

OptiMOS™ 5パワーMOSFETロジックレベル150 V
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BSC105N15LS5
BSC105N15LS5
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データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    76 A
  • QG (typ @10V)
    34 nC
  • QG (typ @4.5V)
    18.1 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    10.5 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    14 mΩ
  • VDS (最大)
    150 V
  • VGS(th) 範囲
    1.3 V～2.3 V
  • VGS(th)
    1.8 V
  • パッケージ
    SuperSO8 5x6
  • 予算価格€/ 1k
    0.85
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Logic Level
推奨
OPN
BSC105N15LS5ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ PG-TDSON-8
パッケージ名 SuperSO8 5x6
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ PG-TDSON-8
パッケージ名 SuperSO8 5x6
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
The OptiMOS™ 5 Logic-Level power MOSFET 150 V family offers the same excellent performance of the OptiMOS™ 5 150 V products with the capability to operate with VGS = 4.5 V. The BSC105N15LS5 features very low RDS(on) of 10.5/14 mOhm (VGS = 10 V/4.5 V) and very low Qg of 18.1 nC (VGS = 4.5 V) in a industry standard SuperSO8 package, enabling optimal thermal management for small in lightweight USB-PD EPR charger and adapter applications.

特長

  • Competitive RDS(on) level
  • Very low switching losses
  • Fully optimized for VGS = 4.5 V
  • Tailored to SR that provide 5 V

利点

  • Highly efficient designs
  • Lower temperature when VGS < 10V
  • Improved thermal management
  • Less system complexity

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ