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BSC093N15NS5

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パッケージ
ボード
EA.
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BSC093N15NS5
BSC093N15NS5
EA.
データシート

製品仕様情報

  • Ciss
    2430 pF
  • Coss
    604 pF
  • ID (@25°C) (最大)
    87 A
  • IDpuls (最大)
    348 A
  • Ptot (最大)
    139 W
  • QG (typ @10V)
    33 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    9.3 mΩ
  • RthJA (最大)
    50 K/W
  • RthJC (最大)
    0.9 K/W
  • Rth (最大)
    0.9 K/W
  • VDS (最大)
    150 V
  • VGS(th) (範囲)
    3 V ～ 4.6 V
  • VGS(th)
    3.8 V
  • バッテリー電圧
    72-96 V
  • パッケージ
    SuperSO8 5x6
  • ピン数
    8 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    1.32
  • 動作温度 (範囲)
    -55 °C ～ 150 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
推奨
OPN
BSC093N15NS5ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 SuperSO8
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 SuperSO8
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
The OptiMOS™ 5 150 V power MOSFETs are particularly suitable for low voltage drives such as forklift and e-scooter, as well as telecom and solar applications. The products offer a breakthrough reduction in RDS(on) (up to 25 percent compared to the next best alternative in SuperSO8) and Q rr without compromising FOMgd and FOM OSS, effectively reducing design effort whilst optimizing system efficiency.

特長

  • Firm FOMgd and FOMoss with lower RDS(on)
  • Lower output charge
  • Ultra-low reverse recovery charge
  • Increased commutation ruggedness
  • Higher switching frequency possible

利点

  • Reduced paralleling
  • Size reduction w/ SuperSO8 best-in-class
  • Higher power density designs
  • More rugged products
System cost reductionImproved EMI behavior

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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