Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

BGSX24M2U16

DP4T MIPI 2.1 antenna cross switch
データシート
EA.
在庫あり

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BGSX24M2U16
BGSX24M2U16
EA.
データシート

Product details

  • Pmax
    39 dBm
  • サイズ
    2.0 x 2.0 mm²
  • スイッチ タイプ
    DP4T
  • 制御インターフェース
    MIPI 2.1
  • 周波数範囲
    0.4 – 7.125 GHz
  • 挿入損失 (@1GHz)
    0.43 dB
  • 絶縁 (@1GHz)
    47 dB
  • 電源電圧
    1.65 V to 1.95 V
推奨
OPN
BGSX24M2U16E6327XTSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ PG-ULGA-16
パッケージ名 N/A
包装サイズ 4500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ PG-ULGA-16
パッケージ名 -
包装サイズ 4500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The BGSX24M2U16 RF CMOS switch is specifically designed for LTE and 5G antenna applications. This Dual Pole Four Throw (DP4T) cross-switch offers low insertion loss and low harmonic generation. The switch is controlled via a MIPI RFFE control interface. The on-chip controller permits very low power-supply voltage from 1.1 to 1.3 V or the standard supply voltage from 1.65 to 1.95V. Unlike GaAs technology, external DC blocking capacitors at the RF ports are only required if DC voltage is applied externally. The device has a very small size of only 2.0 mm x 2.0 mm and a thickness of 0.6 mm.

機能

  • High linearity up to 39 dBm input power
  • Fast switching time (max 2 µs) for 5G SRS applications
  • Low insertion loss and high port-to-port isolation up to 7.125 GHz
  • Fully compatible with MIPI 2.1 RFFE standard with 4 USIDs
  • Low current consumption
  • 1.2 V / 1.8 V VIO support
  • Software and hardware programmable USID
  • Ultra low profile lead-less plastic package (MSL-1, 260 °C per IPC/JEDEC J-STD-20)

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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