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BFP640F
生産終了
生産終了
RoHS対応
鉛フリー

BFP640F

生産終了
データシート
パッケージ
ボード

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BFP640F
BFP640F
データシート

製品仕様情報

  • fT
    42 GHz
  • Gmax
    26.50 dB @900 MHz
  • IC (最大)
    50 mA
  • NFmin
    0.55 dB @900 MHz
  • OIP3
    27.5 dBm
  • OP1dB
    13.5 dBm
  • Ptot
    200 mW
  • VCEO (最大)
    4.1 V
  • パッケージ
    TSFP-4
OPN
BFP640FH6327XTSA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
TSFP-4-1
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
TSFP-4-1
パッケージ名 -
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
NPN Silicon Germanium RF Transistor

特長

  • High gain low noise RF transistor
  • Provides outstanding performance for a wide range of wireless applications
  • Ideal for CDMA and WLAN applications
  • Outstanding noise figure F = 0.65 dB at 1.8 GHz ,Outstanding noise figure F = 1.2 dB at 6 GHz
  • High maximum stable gain:Gms = 23 dB at 1.8 GHz
  • Gold metallization for extra high reliability
  • 70 GHz fT-Silicon Germanium technology
  • Pb-free (RoHS compliant) package

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ