BCW60C

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BCW60C
BCW60C

製品仕様情報

  • fT
    250 MHz
  • hFE (範囲)
    250 ～ 460
  • IBM (最大)
    200 mA
  • ICBO (最大)
    20 nA
  • IC (最大)
    100 mA
  • IC
    100 mA
  • ICM (最大)
    200 mA
  • Ptot (最大)
    330 mW
  • VCBO (最大)
    32 V
  • VCE(sat) (最大)
    0.55 V
  • VCEO (最大)
    32 V
  • VEBO (最大)
    5 V
  • パッケージ
    P-SOT23-3-3
  • 実装
    SMT
  • 極性
    NPN (Single)
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
NPN Silicon AF Transistors

特長

  • High current gain
  • Low collector-emitter saturation voltage
  • Low noise between 30 Hz and 15 kHz
  • Complementary types: BCW61, BCX71 (PNP)
  • Pb-free (RoHS compliant) package
  • Qualified according AEC Q102

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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