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AUIRL7736M2TR
生産終了
生産終了
RoHS対応
鉛フリー

AUIRL7736M2TR

生産終了
40 V, N-Ch, 3 mΩ max, Automotive MOSFET, DirectFET M4, Gen 10.7
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AUIRL7736M2TR
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製品仕様情報

  • Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)
    Mexico
  • Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)
    Malaysia
  • ID (@25°C) (最大)
    179 A
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    2.5 W
  • Ptot (最大)
    63 W
  • Qgd
    33 nC
  • QG (typ @10V) (最大)
    78 nC
  • QG (typ @10V)
    52 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    3 mΩ
  • RthJC (最大)
    2.4 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    40 V
  • VGS(th) 範囲
    1 V～2.5 V
  • VGS(th)
    1.8 V
  • VGS (最大)
    16 V
  • パッケージ
    MG-WDSON-7
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 予算価格€/ 1k
    1.39
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    SMD
  • 技術
    Gen 10.7
  • 極性
    N
  • 認定
    Automotive
OPN
AUIRL7736M2TR
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
MG-WDSON
パッケージ名 DIRECTFET
梱包サイズ 4800
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
MG-WDSON
パッケージ名 DIRECTFET
梱包サイズ 4800
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The AUIRL7736M2 is an Automotive HEXFET® Power MOSFET with DirectFET® packaging. It offers exceptional performance, a compact size (SO-8 or 5X6mm PQFN), and a low profile (0.7mm). The package is compatible with existing layouts and allows dual-sided cooling. Ideal for high-frequency DC-DC, motor drive, and heavy load applications in vehicles. Operates at 175°C with low on-resistance and high current capability.

特長

  • Logic Level
  • Advanced Process Technology
  • Optimized for Automotive Applications
  • Small Footprint and Low Profile
  • High Power Density
  • Low Parasitic Parameters
  • Dual Sided Cooling
  • 175°C Operating Temperature
  • Repetitive Avalanche Capability
  • Lead free, RoHS and Halogen free
  • Automotive Qualified
  • PPAP Capable Device

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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